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Emerging Resistive Switching Memories

Língua InglêsInglês
Livro Capa mole
Livro Emerging Resistive Switching Memories Jianyong Ouyang
Código Libristo: 02942824
Editoras Springer International Publishing AG, julho 2016
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric... Descrição completa
? points 125 b
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This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.§

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Sobre o livro

Nome completo Emerging Resistive Switching Memories
Autor Jianyong Ouyang
Língua Inglês
Encadernação Livro - Capa mole
Data de emissão 2016
Número de páginas 93
EAN 9783319315706
ISBN 3319315706
Código Libristo 02942824
Editoras Springer International Publishing AG
Peso 1708
Dimensões 155 x 235 x 7

Categorias

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